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J-GLOBAL ID：200903003606742341

III-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置

Inventor： 弘田 龍 ,  龍見 雅美
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157041
Publication number (International publication number)：2001338887
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高圧をかけずに成長速度を高めることができるIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提供すること。【解決手段】 本発明のIII-V族窒化物系半導体の成長装置1は、III族元素を含むIII族融液5を収容する融液収容部2aと、融液収容部2aを収容すると共に窒素ガスを導入するための導入口4を有する成長容器2と、導入口4から導入された窒素ガスを励起して窒素プラズマにする励起手段3と、を備え、窒素プラズマは融液収容部2a内のIII族融液5に到達可能であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

III族元素を含むIII族融液に、窒素プラズマを接触させることでIII-V族窒化物系半導体を成長させることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/208 ,  C30B 9/06 ,  C30B 29/38

FI (3)：

H01L 21/208 L ,  C30B 9/06 ,  C30B 29/38 D

F-Term (18)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EC03 ,  4G077EG30 ,  4G077EJ10 ,  4G077HA12 ,  5F053AA03 ,  5F053AA48 ,  5F053BB38 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物結晶の製造方法および窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-072965   Applicant：日立電線株式会社
• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-091742   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体基板の液相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-347222   Applicant：スタンレー電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Low pressure synthesis of bulk, polycrystalline gallium nitride
• Growth of oriented thick films of gallium nitride from the melt