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J-GLOBAL ID：200903056545227445
半導体基板の液相成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋元 輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996347222
Publication number (International publication number)：1998189462
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 従来の液相成長装置においては、溶液つぼ部内に保持される溶媒に半導体基板の面と平行方向にも温度差を生じるものとなることが避けられず、これにより結晶成長の厚みに不均一を生じて歩留りが低下する問題点がある。【解決手段】 本発明により、溶液つぼ部3内には、溶媒12の温度に耐え且つ適宜な熱伝導性を有する部材で形成され、半導体基板11の面積よりも大きな面積を有し、ほヾ全面に複数の貫通孔6aがマトリクス状に形成された熱ならし板6が、溶液つぼ部3の側壁3aとは5mm以上の間隙を設け、溶媒12の液面からは5mm以上の深さとなり、且つ、半導体基板11からは3mm以上の間隔を設けて平行となるように蓋部5から懸架されている液相成長装置1としたことで、熱ならし板6の高い熱伝導性により半導体基板11の表面近傍に存在する溶媒12の温度を均一化し課題を解決する。
Claim (excerpt)：
溶媒を収納する溶液つぼ部が設けられる本体部と、該本体部の底面側に摺動可能に設けられ半導体基板を収納する収納凹部が設けられた底部と、前記本体部の溶液つぼ部の上面を閉止する蓋部とから成る半導体基板の液相成長装置において、前記溶液つぼ部内には、前記溶媒の温度に耐え且つ適宜な熱伝導性を有する部材で形成され、前記半導体基板の面積よりも大きな面積を有し、略全面に複数の貫通孔がマトリクス状に形成された熱ならし板が、前記溶液つぼ部の側壁とは5mm以上の間隙を設け、前記溶媒の液面からは5mm以上の深さとなり、且つ、前記半導体基板からは3mm以上の間隔を設けて前記半導体基板と平行となるように前記蓋部から懸架されていることを特徴とする半導体基板の液相成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/208 L
, C30B 19/10
