面発光レーザ装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994291128
Publication number (International publication number)：1996148755
Application date： Nov. 25, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】面発光レーザ装置においては,光を取り出す基板裏面からの反射光が発振器に再注入されるため,光出力-注入電流特性の非線形性(キンク)が生じてしまうので,簡単な構造かつ作製方法で,キンクを低減した面発光レーザ装置とその製造方法とそれに用いるフォトマスクとを提供することにある。【構成】 p型半導体多層膜3及びn型半導体多層膜7が面発光レーザ発振器におけるレーザ共振器の一対の反射鏡を構成している。一対の半導体多層膜の間に活性層5を配置している。一対の半導体多層膜を反射鏡とするレーザ発振器10が半導体基板11上に積層され,面発光レーザをなしている。出力光14を取り出す側である基板裏面に反射面を有する凹状構造物15が設けてある。

Claim (excerpt)：

表裏をなす2面を有する半導体基板と,前記半導体基板の一面上に形成された半導体積層構造体を備え,前記半導体基板の前記一面に対向する他面からレーザ光を取り出す面発光レーザ装置において,前記他面には,前記半導体基板を透過する前記レーザ光を乱反射させるための構造物を有することを特徴とする面発光レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

狭帯域化面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104529 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-221874
特開昭62-172767

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