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J-GLOBAL ID：200903003647326212

被膜形成装置及び被膜形成方法

Inventor： 林 茂則 ,  寺本 聡 ,  伊藤 健二 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994015970
Publication number (International publication number)：1995211657
Application date： Jan. 14, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】5〜150Torrの中圧力において被膜を形成する装置とその方法を提供する。【構成】放電空間において発生したラジカルが基板表面に達するまでの間、周辺の雰囲気の影響を受けないように放電空間を包むようにパージガスで遮蔽を施す。磁場とバイアス電圧をプラズマに作用させることにより、該ラジカルが基板表面に到達し易くなり、到達したラジカルにより基板表面において被膜形成反応を促進させる。

Claim (excerpt)：

被膜の形成されるべき基体に対して開口を有する5〜150Torrに保持可能な放電空間と該放電空間を包むように配置したパージガスノズルを有する被膜形成装置であって、前記パージガスノズルから吹き出したパージガスが実質的に前記放電空間を周辺雰囲気より遮断することを特徴とする被膜形成装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-046723
  
• プラズマリアクター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-322502   Applicant：ラムコ株式会社
• プラズマ発生装置およびその動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-014887   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-219082
  
• 特開平4-212253
  
• 特開平2-156086