タンタル酸化膜の形成方法及びその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228675
Publication number (International publication number)：1997153491
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体記憶装置のキャパシタの高誘電体膜として用いられるタンタル酸化膜(Ta2 O5 )の形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】タンタル酸化膜の蒸着工程と、紫外線-オゾン又はプラズマ-酸素アニーリング工程を単一チャンバ内で行う工程方法及び工程装置であって、所定の室内空間を形成する単一チャンバ内に紫外線を発生する紫外線ランプと、前記紫外線及び酸素を所定のウェーハに伝達する石英ウィンドと、前記ウェーハの装着されるサセプタと、前記ウェーハの位置及び移動を制御するリフタ手段と、前記サセプタと関連して前記ウェーハを加熱する熱源と、前記サセプタと関連して前記ウェーハを回転させる回転手段とを備える。これにより、工程を単純化し、上品な製品を生産し得る。

Claim (excerpt)：

半導体記憶装置のキャパシタの高誘電体膜として用いられるタンタル酸化膜の蒸着工程及びアニーリング工程を含むタンタル酸化膜の形成方法において、前記蒸着工程及びアニーリング工程がインサイチュー方式で同一チャンバ内で行われることを特徴とするタンタル酸化膜の蒸着形成方法。

IPC (9)：

H01L 21/316 , C23C 16/48 , C23C 16/56 , H01L 21/31 , H01L 21/324 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (7)：

H01L 21/316 X , C23C 16/48 , C23C 16/56 , H01L 21/31 C , H01L 21/324 Z , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平2-283022
特開平2-283022
特開平2-201916

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