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J-GLOBAL ID：200903082949259929

半導体装置の製造方法及びその製造装置

Inventor： 青山 知憲 ,  今井 馨太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993149982
Publication number (International publication number)：1995014986
Application date： Jun. 22, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、誘電率の高く、リーク電流の小さい高誘電率絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。【構成】 Ta2 O5 膜9を形成した後に真空を破らずに、500 〜850 °Cで0.1〜3.0Torr の酸素熱処理を行うかあるいは300 〜500 °Cで酸素プラズマ熱処理を行うかあるいは300 〜500 °Cで酸素プラズマ熱処理を行った後に、500 〜850 °Cで0.1 〜3.0Torr の酸素熱処理を行う。また、前記の熱処理を行う装置としてTa2 O5 膜9を形成する反応室と酸素熱処理を行う熱処理室が真空系で接続されている装置、あるいはTa2 O5 膜9を形成する反応室と、酸素プラズマ熱処理を行うための放電部が内蔵または接続された熱処理室とが真空搬送系で接続されている装置を用いる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1の導電層上に金属酸化物からなる絶縁膜を形成する工程と、前記基板を大気開放せずに連続で減圧酸素雰囲気中で前記絶縁膜の熱処理を行う工程と、前記絶縁膜上に第2の導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体メモリ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213379   Applicant：三星電子株式会社
• 酸化タンタル薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-306775   Applicant：松下電器産業株式会社
• 酸化タンタル薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-306776   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜装置および薄膜装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-000347   Applicant：三菱電機株式会社