誘電体膜、キャパシタ絶縁膜及びスパッタリングターゲット

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：北村欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000151753
Publication number (International publication number)：2001332126
Application date： May. 23, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するBST膜、このBST膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのBST膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】誘電体膜が、BSTにAl及びBiの少なくとも一種を添加したものからなり、Al及びBiを各々2.0atm.以下の範囲で添加する。この誘電体膜が導入されてなるキャパシタ絶縁膜。スパッタリングターゲットがBSTにAl及びBiの少なくとも一種を添加したものからなる。

Claim (excerpt)：

BSTにAl及びBiの少なくとも一種を添加したものからなることを特徴とする誘電体膜。

IPC (8)：

H01B 3/12 303 , C01G 23/00 , C23C 14/34 , H01B 3/00 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

H01B 3/12 303 , C01G 23/00 C , C23C 14/34 A , H01B 3/00 F , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

F-Term (37)：

4G047CA07 , 4G047CB04 , 4G047CC02 , 4G047CD02 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F083AD11 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083JA14 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083PR22 , 5G303AA01 , 5G303AA07 , 5G303AB06 , 5G303AB07 , 5G303AB20 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB01 , 5G303CB03 , 5G303CB05 , 5G303CB32 , 5G303CB35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

強誘電体材料および該材料をゲートとして用いたMFSFET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-156041 Applicant：株式会社リコー
薄膜キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-238088 Applicant：株式会社東芝
薄膜誘電材料用ドナードープペロブスカイト材料形成方法及びこの材料を含む構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-127337 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Leakage current of Al- or Nb-doped Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films by rf magnetron sputtering

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