横型構成電気光学デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007335641
Publication number (International publication number)：2008251524
Application date： Dec. 27, 2007
Publication date： Oct. 16, 2008
Summary：

【課題】エレクトロルミネセンスデバイスの光出力や光起電力デバイスの電流出力を増大させる。【解決手段】表面を有する基板100と、第1のタイプの半導体材料の第1の半導体層102と、第2のタイプの半導体材料の第2の半導体層108と、第1の電極114と、第2の電極116とを有する、横型構成電気光学デバイス。第1の半導体層の下面は、基板の表面の一部分に結合されている。第2の半導体層の下面は、第1の半導体層の上面に結合されて接合を形成する。第1の電極は、第1の半導体層の一方の側面106に直接電気的に結合され、第2の電極は、第2の半導体層の反対側の側面112に直接電気的に結合されている。これらの電極は、第1の半導体層の下面および/または第2の半導体層の上面がこれらによって実質的に塞がれないように構成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面を有する基板と、第1のタイプの半導体材料の第1の半導体層であって、前記第1の半導体層は第1の側面、第2の側面、上面、および下面を有しており、前記第1の半導体層の前記下面は前記基板の前記表面の一部分に結合されている、第1の半導体層と、前記第1のタイプの半導体材料と異なる第2のタイプの半導体材料から形成された第2の半導体層であって、前記第2の半導体層は、第1の側面、第2の側面、上面、および下面を有しており、これらは、前記第2の半導体層の前記下面が前記第1の半導体層の前記上面に結合されて接合を形成し、前記第2の半導体層の前記第1の側面が前記第1の半導体層の前記第1の側面に隣接し、前記第2の半導体層の前記第2の側面が前記第1の半導体層の前記第2の側面に隣接するように構成されている、第2の半導体層と、前記第1の半導体層の前記第1の側面に直接電気的に結合された、第1の電極と、前記第2の半導体層の前記第2の側面に直接電気的に結合された、第2の電極と、を備え、前記第1の電極および前記第2の電極は、前記第1の半導体層の前記下面または前記第2の半導体層の前記上面の少なくとも一方が、前記第1の電極および前記第2の電極によって実質的に塞がれていないように構成される、横型構成電気光学デバイス。

IPC (8)：

H05B 33/26 , H01L 29/786 , H05B 33/24 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/22 , H05B 33/12 , H01L 31/04

FI (10)：

H05B33/26 , H01L29/78 613Z , H01L29/78 618E , H05B33/24 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/22 Z , H05B33/12 C , H01L31/04 H , H01L31/04 M

F-Term (33)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107CC03 , 3K107CC05 , 3K107CC29 , 3K107DD05 , 3K107DD06 , 3K107DD24 , 3K107DD25 , 3K107DD29 , 3K107DD30 , 3K107DD51 , 3K107DD54 , 3K107DD58 , 3K107DD88 , 3K107EE10 , 3K107EE33 , 3K107FF13 , 3K107FF15 , 3K107FF19 , 5F051BA16 , 5F051DA03 , 5F051DA15 , 5F051FA06 , 5F051FA17 , 5F110AA16 , 5F110BB10 , 5F110CC03 , 5F110GG19 , 5F110HK02 , 5F110HK03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

埋設接触子を有する薄膜多層太陽電池
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-525303 Applicant：パシフィックソーラーピーティーワイリミテッド
直立型超格子、デバイス及び直立型超格子の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265713 Applicant：科学技術振興事業団
有機半導体薄膜太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265227 Applicant：科学技術振興事業団

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