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J-GLOBAL ID：200903003694967137

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 野崎 秀樹 ,  海野 和美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242914
Publication number (International publication number)：1994326360
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 耐湿性に優れ、高出力特性を備えた半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 光取り出し面側にAlを含む結晶層15を備えた当該半導体発光素子の発光層となるInGaAlP系混晶層12、13、14、及び15と、結晶層15上に積層されたモル比50%以下のAlを含むまたはAlを含まないIII-V族結晶層16とを有して構成された半導体発光素子。尚、モル比50%以下のAlを含むまたはAlを含まないIII-V族結晶層16は、有機金属気相成長法により他の各層と連続して形成される。

Claim (excerpt)：

光取り出し面側にモル比60%以上の高Alで組成される結晶層を備えた半導体発光素子で、前記高Al結晶層上にモル比50%以下のAlを有する導電性の結晶、またはAlを含まない導電性の結晶を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211229   Applicant：株式会社日立製作所
• 分散型EL及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-165242   Applicant：グンゼ株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351646   Applicant：株式会社東芝