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J-GLOBAL ID：200903003715476481

プラズマ処理装置

Inventor： 堀池 靖浩 ,  深沢 孝之
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  堀池 靖浩
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222132
Publication number (International publication number)：1995058087
Application date： Aug. 12, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高エッチング速度、高選択比でかつ下地層にダメージの少ないプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本装置は、所定の減圧雰囲気に調整可能な処理室2と、処理室内に所定の処理ガス、例えばCHF3ガスを供給するガス供給手段8と、処理室内を排気する排気手段9と、被処理体Wを載置するサセプタ手段10と、処理室外側上部に設置されて被処理体の処理面よりも上方に例えば誘導結合プラズマを発生させるプラズマ発生手段5とを備え、プラズマ発生手段の下面から記被処理体の処理面までの距離を50mm以上200mm以下、好ましくは50mm超125mm未満に設定している。かかる構成により例えばシリコン酸化膜のエッチングを実施すると、高密度プラズマから離れた領域において、高エッチング速度、高選択比でかつ下地層にダメージの少ない処理を行える。

Claim (excerpt)：

所定の減圧雰囲気に調整可能な気密に構成された処理室と、その処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給手段と、その処理室内を排気するための排気手段と、前記処理室内に被処理体を載置固定するためのサセプタ手段と、その処理室の外側上部に設置されて前記処理室内において前記被処理体の処理面よりも上方にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、を備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生手段の下面から前記被処理体の処理面までの距離を50mm以上200mm以下に設定したことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-079025
  
• シリコン酸化膜のドライエツチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-305187   Applicant：松下電器産業株式会社