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J-GLOBAL ID：200903003750795352

光起電力素子及びその製造方法

Inventor：
中村 哲郎

About 中村 哲郎

, 
東川 誠

About 東川 誠


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998248944
Publication number (International publication number)：2000077692
Application date： Sep. 03, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 Al等のマイグレーションを起こさない金属を裏面反射層に用いた場合でも、素子についてテクスチャー度の向上を図って可視光領域での光閉込め効率を高めて光導電特性を向上する。【解決手段】 基板上に、裏面反射層と、透明導電層と、非単結晶シリコン系材料からなるpin接合を有する半導体層と、透明電極層とを順に積層して、前記透明電極層の上に集電電極を備える光起電力素子において、前記透明導電層201の上に当該透明導電層201に比ベてエッチング速度が遅い極薄薄膜202を形成し、エッチング溶液によるエッチングを行うことにより、透明導電層201表面のテクスチャー度が向上する。
Claim (excerpt)：
基板上に、裏面反射層と、透明導電層と、非単結晶シリコン系材料からなるpin接合を有する半導体層と、透明電極層とを順に積層して、前記透明電極層の上に集電電極を備える光起電力素子において、前記透明導電層の上に当該透明導電層に比ベてエッチング速度が遅い極薄薄膜を形成し、エッチング溶液によるエッチングを行うことにより、透明導電層表面のテクスチャー度が向上されていることを特徴とする光起電力素子。
F-Term (9)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CB21 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA19 ,  5F051GA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 太陽電池
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347457   Applicant：キヤノン株式会社
  • 光起電力素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-250713   Applicant：キヤノン株式会社
  • 特開平3-099487
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