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J-GLOBAL ID：200903057001417263

光起電力素子の製造方法

Inventor： 荒尾 浩三 ,  中川 克己 ,  岩崎 由希子
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995250713
Publication number (International publication number)：1997092864
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 極めて安価で、かつ、初期特性及び長期環境安定性・信頼性に優れた光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子の製造方法は、鉄を含有した支持体上に、金属層、第一の透明導電性層、半導体層、及び第二の透明導電性層を順次積層してなる光起電力素子の製造方法において、前記金属層及び前記第一の透明導電性層を、共に酸性の水溶液から析出することを特徴とする。また、前記鉄を含有した支持体を、酸性溶液にて蝕刻することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

鉄を含有した支持体上に、金属層、第一の透明導電性層、半導体層、及び第二の透明導電性層を順次積層してなる光起電力素子の製造方法において、前記金属層及び前記第一の透明導電性層を、共に酸性の水溶液から析出することを特徴とする光起電力素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344957   Applicant：キヤノン株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347463   Applicant：キヤノン株式会社
• 光起電力素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020052   Applicant：キヤノン株式会社