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J-GLOBAL ID：200903003756794986

半導体装置の製造方法

Inventor：
神野 優志

About 神野 優志


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997081476
Publication number (International publication number)：1998274787
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 a-Siを結晶化するためのレーザーアニールを、均一に行い、均質なp-Siを得る。【解決手段】 基板10上にa-Siと連続してSiO2の保護膜14を成膜し、エキシマレーザーアニール(ELA)を行ってa-Siを多結晶化し、p-Si13を形成する。a-Siと保護膜14とは同様の膜厚のばらつきがあり、保護膜14はあらかじめa-Siの最も厚く領域に最適な膜厚に設定される。a-Siの厚い領域では保護膜14に効率良くエネルギーが与えられ、比較的低いエネルギー密度を上昇させ、a-Siのより薄い領域では保護膜14により効率を落としてエネルギーが与えられるので、比較的高いエネルギー密度が低下し、全面にわたって均一なレーザーアニールが行われる。
Claim (excerpt)：
基板上に半導体層と、絶縁層を挟んで前記半導体層の能動領域に対向する電極を有した半導体素子を複数有した半導体装置の製造方法において、絶縁性の保護膜を、前記半導体層と連続的に、前記半導体層の膜厚が最も厚い半導体素子に最適の膜厚に形成し、この保護膜を有した半導体層にレーザーアニールを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 26/02
FI (2)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 26/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 薄膜トランジスタの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329346   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平2-224253
  • 特開平2-224253

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