薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993329346
Publication number (International publication number)：1995193245
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】誘電体膜を介した光アニールによる多結晶シリコン薄膜トランジスタの作製において、n,p両チャネルトランジスタの活性層多結晶シリコン膜を、それぞれの最適強度光で作製する。【構成】非晶質シリコン膜66上に形成した酸化シリコン膜67上に窒化シリコン膜68を形成し、この窒化シリコン膜68にnチャネル部分70上とpチャネル部分69上で膜厚差をつけた後、エキシマレーザ光71を照射することにより前記非晶質シリコン膜を溶融再結晶化し、多結晶シリコン膜73とする。酸化シリコン膜67および窒化シリコン膜68の二層誘電体膜を組み合わせることで、誘電体膜厚変動による光学的干渉効果変動を最小にする誘電体膜厚を選ぶことができ、さらに窒化シリコン膜68の膜厚をn,p両チャネルに適当な値に設定することにより、一度の光照射で両チャネル双方に最適強度の光を照射することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン膜への光照射による再結晶化で形成された多結晶シリコン膜を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法において、絶縁性基板上に非結晶性シリコン膜を形成する工程と、酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜の膜厚をnチャネルトランジスタ部分とpチャネルトランジスタ部分とで差異をつける工程と、前記酸化シリコン膜を通して、前記非結晶性シリコン膜へ光照射を行う工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/268 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 311 C , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭64-055858
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-008648 Applicant：シャープ株式会社

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