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J-GLOBAL ID：200903003775125467

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 宮永 昭治 ,  大谷 久 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993346714
Publication number (International publication number)：1995183537
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路領域と画画素領域とを同一基板上に必要とする結晶性を有したTFTを形成した構成を提供する。【構成】 同一基板上に結晶性珪素膜を用いて周辺回路用のTFTと画素領域用のTFTを形成する。この結晶性珪素膜は非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素(例えばニッケル)を導入し加熱によって結晶化させる。この際、周辺回路領域と画素領域とでは必要とする結晶性が異なるので、周辺回路領域と画素領域とでニッケルの導入量を選択的に変化させる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを有し、前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも一部は結晶性を有する珪素薄膜を用いて構成されており、前記結晶性を有する珪素薄膜は結晶化を助長する触媒元素が添加されており、前記触媒元素は選択的にその量を異ならせて添加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-280420
  
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-218156   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-319904   Applicant：シャープ株式会社