窒化物半導体及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：絹谷信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000038213
Publication number (International publication number)：2001223165
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥の発生を低減すると共に反りの発生を防止することにより、品質と生産性に優れた窒化物半導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に成長される窒化物半導体及びその製造方法において、基板1上に窒化物半導体層10を成長させ、その窒化物半導体層10に多数の微細なボイド2aを有する多孔質層2を形成した後、熱処理を施して表面を再結晶化させて再結晶層3を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成され内部に多数の微細なボイドを有する窒化物半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物半導体。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 21/306 B

F-Term (42)：

5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F043AA16 , 5F043BB10 , 5F043DD02 , 5F043DD08 , 5F043DD14 , 5F043DD30 , 5F043FF10 , 5F043GG10 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045CA09 , 5F045DA52 , 5F045DA61 , 5F045HA12 , 5F045HA16 , 5F052CA01 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052DB06 , 5F052EA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体基体と、半導体基体および薄膜半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-063135 Applicant：ソニー株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
半導体部材の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085020 Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Strain relaxation in GaN layers grown on porous GaN sublayers

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