薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050832
Publication number (International publication number)：1994267851
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】反応室1内に原料ガスを導入し、マイクロ波導波管4,5を介してマイクロ波を入射させるとともに電子サイクロトロン共鳴が起きる条件以上の外部磁界を電磁コイル8,9,10,11により印加し、反応室1内にプラズマを生成し、プラズマ発生領域16内あるいはその近傍に設置された基体14,15上に薄膜を堆積させる薄膜形成方法であって、マイクロ波がプラズマ発生領域に印加された磁界の磁力線に平行な方向より対向入射されることを特徴とする。【効果】反応室内へのマイクロ波投入電力を高めることができ、これにより反応室内のプラズマ密度を高め、基体への薄膜の成膜速度を向上させることができ、また、基体への薄膜形成領域を拡大することができ、薄膜の形成の量産性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

反応室内に原料ガスを導入し、マイクロ波導波管を介してマイクロ波を入射させるとともに電子サイクロトロン共鳴が起きる条件以上の外部磁界を印加し、前記反応室内にプラズマを生成し、該プラズマ発生領域内あるいはその近傍に設置された基体上に薄膜を堆積させる薄膜形成方法において、前記マイクロ波をプラズマ発生領域に印加された磁界の磁力線に平行な方向より対向入射することを特徴とする薄膜形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-244619
特開平1-064222
特開平1-134927

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