ITOスパッタリングターゲット

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995144685
Publication number (International publication number)：1996060352
Application date： Jun. 12, 1995
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】スパッタ時に発生するノジュールを抑制したITOスパッタリングターゲットを提供する。【構成】密度6.4g/cm3以上のITOターゲットであって、被スパッタリング表面の中心線平均粗さ(Ra)≦0.8μmで、かつ?@〜?Fの一つ以上の条件を満たす。?@最大高さ(Rmax)≦7.0μm、?A十点平均粗さ(Rz)≦6.0μm、?B最大粗さ(Rt)≦6.5μm、?C平均線深さ(Rp)≦2.0μm、?D平均傾斜角(θa)≦10.0°、?Eカッテイング深さ(CV)≦0.5μm、?EPc(+1.0μm)≦25

Claim (excerpt)：

実質的に酸化インジウムおよび酸化スズからなる密度6.4g/cm3以上のITOスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの被スパッタリング面の表面の中心線平均粗さ(以下Raと略記)が0.8μm以下で、かつ、以下の(1)〜(7)の少なくとも一つの条件を満たすことを特徴とするITOスパッタリングターゲット。(1)最大高さ(以下Rmaxと略記)が7.0μm以下、(2)十点平均粗さ(以下Rzと略記)が6.0μm以下、(3)基準長さ2.5mmにおいて測定された粗さ曲線を中心線に平行な2直線で挟んだ時に得られる2直線間の間隔として表される最大粗さ(以下Rtと略記)が6.5μm以下、(4)基準長さ2.5mmにおいて測定された断面曲線中の最大の高さを持つ山と平均線までの距離で表される平均線深さ(以下Rpと略記)が2.0μm以下、(5)基準長さ2.5mmの粗さ曲線における凹凸の平均傾斜角(以下θaと略記)が10.0°以下、(6)基準長さ2.5mmにおいて、tp(0-10%)におけるカッテイング深さ(以下CVと略記)が0.5μm以下、(但し、tp(0-10%)におけるCVとは、基準長さ区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線で断面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断面曲線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する比が0%のレベル(断面曲線の最高山頂)と10%となるレベルの間の距離を示す)(7)基準長さ2.5mmにおいて、Pc(+1.0μm)≦25(但し、Pc(+1.0μm)とは、粗さ曲線の中心線に対し上側に1.0ミクロンの位置に、中心線に対して平行な1本のピークカウントレベルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差する2点間において、ピークカウントレベルと粗さ1線が交差する点が1回以上存在する場合一山とし、基準長さにおける山の合計数を表す)

IPC (4)：

C23C 14/34 , C01G 19/00 , C04B 35/495 , H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ITOスパツタリングタ-ゲツト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-336298 Applicant：株式会社日鉱共石

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