プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：光石俊郎 , 光石忠敬 , 田中康幸 , 松元洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002178129
Publication number (International publication number)：2004022935
Application date： Jun. 19, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】筒状容器2内に広い範囲で均一なプラズマを発生させても壁面方向の磁束密度を小さくしたプラズマ成膜装置とする。【解決手段】アンテナ11aの周囲の天井面の外方に位置して配置される第2アンテナ11bと、給電手段によるアンテナ11aへの給電の電流と逆向きの電流を第2アンテナ11bに供給し、第2アンテナ11bの部位で、アンテナ11aの部位の磁力線F1とは反対の磁力線F2を発生させ、筒状容器2内に広い範囲で均一なプラズマを発生させても壁面方向の磁束密度を小さくしたプラズマ成膜装置とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

処理室の天井面の上部に平面リング状のアンテナを配置し、給電手段によりアンテナに給電を行うことで処理室内にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置において、アンテナの周囲に天井面の外方に位置する第2アンテナを配置し、アンテナへの給電の電流と逆向きの電流を第2アンテナに供給する第2給電手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/507 , H05H1/46

FI (4)：

H01L21/205 , B01J19/08 H , C23C16/507 , H05H1/46 L

F-Term (29)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BC04 , 4G075CA13 , 4G075CA47 , 4G075CA51 , 4G075CA63 , 4G075DA01 , 4G075EB01 , 4G075EC30 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FC15 , 4K030AA06 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030FA04 , 4K030JA19 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB01 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EH02 , 5F045EH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

プラズマプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-049761 Applicant：木下治久, ローツェ株式会社, 株式会社アドテック
プラズマ処理装置及び処理方法、並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-302345 Applicant：ソニー株式会社, 株式会社シー・ヴィ・リサーチ

Cited by examiner (1)

プラズマ処理装置及び処理方法、並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-302345 Applicant：ソニー株式会社, 株式会社シー・ヴィ・リサーチ

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