Pat
J-GLOBAL ID：200903003862050457

処理中の基板上にプラズマを集中するための装置及び方法

Inventor：
アナンド ギュプタ

About アナンド ギュプタ

, 
ヴィレンドラ ヴィー. エス. ラナ

About ヴィレンドラ ヴィー. エス. ラナ


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996118088
Publication number (International publication number)：1997022934
Application date： May. 13, 1996
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ内の電場の乱れを抑え粒子のトラッピングを防止する。【解決手段】 基板をプラズマチャンバ内で処理する間支持するためのチャック組立体であって、基板は裏側と表側とを有し、そのチャック組立体は基板を処理中受容し支持するための基板支持表面を有する上部を有するプラットフォームを含み、支持表面はその上に載置される基板の裏側の面積に実質的に等しい面積を有しており、プラットフォームの上部の周りにある環状誘電体リングであって、その環状リングはプラットフォームの上部の外周に適合しそれよりも僅かに大きい中央穴を有しており、その誘電体リングは基板の誘電体定数よりも小さい誘電体定数を有する誘電体材料でできている。
Claim (excerpt)：
裏側と表側とを有しており且つ予め定められた面積と形状及び誘電体定数によって特性が定められた基板をプラズマチャンバ中で処理する間支持するためのチャック組立体であって、上部と下部とを有するプラットフォームであって、前記上部は基板を処理中に受容し支持するための基板支持面を有しており、前記支持面はその上に載置される基板の裏側の面積に実質的に等しい面積を有している、プラットフォームと、前記プラットフォームの上部の周りにある環状誘電体リングであって、前記プラットフォームの上部の外周に適合し且つその外周よりも僅かに大きい中央穴を有し、基板の誘電体定数よりも小さい誘電体定数を有する材料で作られた,誘電体リングとを備える、チャック組立体。
IPC (5)：
H01L 21/68 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/50
FI (5)：
H01L 21/68 N ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM