セラミックス多層配線基板と薄膜パターンのアライメント方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996340935
Publication number (International publication number)：1998186683
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】歪み、変形、収縮を含むセラミックス多層配線基板上に直接描画露光方式で薄膜パターンを形成する際のアライメントを高精度に行う。【解決手段】セラミックス多層配線基板上のLSI搭載エリアとターゲットマークを撮影して得られた位置座標と設計座標により補正量を算出する。

Claim (excerpt)：

セラミックス多層配線基板上に設けられた複数のLSI搭載エリアと薄膜パターンをアライメントする為のターゲットマークを撮影することによって得られた画像データを基に前記LSI搭載エリアと前記ターゲットマークの位置座標を算出し、算出した位置座標と、個々のLSI搭載エリアと薄膜パターンをアライメントする為のターゲットマークに対応する設計位置座標に所定の演算処理を施すことにより、アライメントに必要な補正量(回転角度及び平行移動量)を算出し、算出した前記補正量に基づいて前記薄膜パターンを露光する為に必要な露光データを変換することを特徴とするセラミックス多層配線基板と薄膜パターンのアライメント方法。

IPC (3)：

G03F 9/00 , H05K 3/00 , H05K 3/46

FI (5)：

G03F 9/00 H , H05K 3/00 G , H05K 3/46 E , H05K 3/46 H , H05K 3/46 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

露光方法及び薄膜多層基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-173059 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭60-179745
特開平4-037023

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