トランジスタによる分子検出装置および方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大貫進介 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997537156
Publication number (International publication number)：2001511245
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Aug. 07, 2001
Summary：

【要約】分子検出装置10は、分子受容体16を受け入れる結合点を支持する基板12と、基板に一体化されるトランジスタとによって形成される。トランジスタは、ゲート電極20と、ソース電極22と、ドレイン電極24と、ソース電極をドレイン電極に電気的に結合する半導体チャネル層26とを有する。半導体チャネル層26は、分子受容体16に近接して配置されるので、ソース電極とドレイン電極との間のコンダクタンスが、分子受容体16に結合する分子28に伴う電荷により修正される。分子の分子受容体に対する結合は、分子に伴う電荷の結果として起こるトランジスタの被修正電気特性により検知される。

Claim (excerpt)：

分子受容体を受け入れる結合部を支持する基板;および前記基板と一体化され、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極を前記ドレイン電極に電気的に結合する半導体チャネル層とを有するトランジスタであって、前記半導体チャネル層は前記結合部に近接して位置し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のコンダクタンスが、前記分子受容体に結合する分子に伴う電荷に起因して変化するトランジスタ; によって構成され、前記分子と前記分子受容体との結合は、前記分子に伴う前記電荷に起因して変化する前記トランジスタの電気特性により検知されることを特徴とする分子検出装置。

IPC (6)：

G01N 27/414 , C12M 1/00 , C12Q 1/68 , G01N 33/53 , G01N 33/566 , H01L 29/786

FI (6)：

C12M 1/00 A , C12Q 1/68 A , G01N 33/53 M , G01N 33/566 , G01N 27/30 301 R , H01L 29/78 625

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-309246
半導体イオンセンサ及びその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227701 Applicant：富士通株式会社
特開平1-203960

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