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J-GLOBAL ID：200903004006675353
半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
石川 徹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003581553
Publication number (International publication number)：2005522005
Application date： Mar. 28, 2003
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：
【課題】 なし【解決手段】 層中に半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。該層は、非重合性の層であってもよい。
Claim (excerpt)：
マトリックスを含む層;
該層に隣接する第一電極;
該第一電極と向かい合う第二電極;
及び該第一電極と該第二電極との間に配置されている、複数の半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。
IPC (12)：
H05B33/14
, C09K11/00
, C09K11/08
, C09K11/56
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/66
, C09K11/70
, C09K11/74
, C09K11/88
, H05B33/10
, H05B33/22
H05B33/14 Z
, C09K11/00 F
, C09K11/08 G
, C09K11/56
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/66
, C09K11/70
, C09K11/74
, C09K11/88
, H05B33/10
, H05B33/22 B
, H05B33/22 D
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007AB06
, 3K007AB18
, 3K007CB01
, 3K007CC01
, 3K007DA01
, 3K007DA04
, 3K007DB00
, 3K007DB02
, 3K007FA00
, 4H001CA02
, 4H001CC07
, 4H001CC09
, 4H001CC13
, 4H001XA07
, 4H001XA13
, 4H001XA15
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA33
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA49
, 4H001XA51
, 4H001XA52
, 4H001XA80
, 4H001XA81
, 4H001XA82
Cited by examiner (3)
-
発光体粒子及び発光デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-092164
Applicant：株式会社東芝
-
半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-178278
Applicant：株式会社東芝
-
分子整合有機発光ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-255748
Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
Article cited by the Patent：
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