高周波半導体集積回路装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066792
Publication number (International publication number)：1998261763
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】高周波半導体集積回路装置に関し、パッケージ端子間のアイソレーションを充分取ることのできる高周波半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体チップと、パッケージと、接地導体とを有する高周波半導体集積回路装置であって、高周波信号が通過する第1パッケージ端子と、高周波信号が通過するパッケージ端子であるか、高周波信号が通過するノードまたはトランジスタのドレインに電流を供給するパッケージ端子である第2パッケージ端子と、第1パッケージ端子と第2パッケージ端子との間に配置され、第1抵抗を介して他の回路要素にバイアス電圧を印加するための第3パッケージ端子と、パッケージ内に配置され、第3パッケージ端子と第1抵抗との間に接続された一方の電極と接地導体に接続された他方の電極を有する第1キャパシタとを有する。

Claim (excerpt)：

各々少なくとも1つのトランジスタ、抵抗、キャパシタを含み、集積回路を構成する半導体チップと、複数のパッケージ端子を備え、収容空間に前記半導体チップを収容するパッケージと、前記パッケージ上および前記半導体チップ上に形成された接地導体とを有する高周波半導体集積回路装置であって、高周波信号が通過する第1パッケージ端子と、高周波信号が通過するパッケージ端子であるか、高周波信号が通過するノードまたはトランジスタのドレインに電流を供給するパッケージ端子である第2パッケージ端子と、前記第1パッケージ端子と前記第2パッケージ端子との間に配置され、第1抵抗を介して前記集積回路中の他の回路要素にバイアス電圧を印加するための第3パッケージ端子と、前記パッケージ内に配置され、第3パッケージ端子と前記第1抵抗との間に接続された一方の電極と前記接地導体に接続された他方の電極を有する第1キャパシタとを有する高周波半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/60 321 , H03F 3/193

FI (3)：

H01L 27/04 C , H01L 21/60 321 X , H03F 3/193

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平2-148860
特開平2-303152
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-214925 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (5)

特開平2-148860
特開平2-303152
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-214925 Applicant：日本電気株式会社

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