Pat
J-GLOBAL ID：200903004069944478

カーボンナノチューブの製造方法

Inventor：
長浜 英雄

About 長浜 英雄


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004245779
Publication number (International publication number)：2006062899
Application date： Aug. 25, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：
【課題】従来に比べてカーボンナノチューブの成長方向の制御性を向上可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上の絶縁層2の一表面上に少なくとも一対の電極3,3を対となる電極3,3同士の対向面が平行となる形で形成してから、対となる電極3,3間に所定の電圧を印加するときに電界が形成される領域において各電極3,3それぞれに接する触媒金属部4,4の対を形成した後、対となる電極3,3間に電圧を印加し且つ絶縁層2の上記一表面側に炭素を含む原料ガスを供給してCVD法によって対となる触媒金属部4,4間にカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁層の一表面上に少なくとも一対の電極を対となる電極同士の対向面が平行となる形で形成してから、対となる電極間に電圧を印加するときに電界が形成される領域において各電極それぞれに接する触媒金属部の対を形成した後、対となる電極間に電圧を印加し且つ絶縁層の前記一表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2)：
C01B 31/02 ,  H01J 9/02
FI (2)：
C01B31/02 101F ,  H01J9/02 B
F-Term (20)：
4G146AA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC18 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA33 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C127DD32 ,  5C127EE02 ,  5C127EE20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM