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J-GLOBAL ID：200903077005473436

半導体物理量センサ

Inventor：
宮島 久和

About 宮島 久和

, 
薮田 明

About 薮田 明

, 
ロバート ダットン

About ロバート ダットン


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002332438
Publication number (International publication number)：2004163373
Application date： Nov. 15, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：
【課題】従来に比べて高感度化を図れる半導体物理量センサを提供する。【解決手段】半導体物理量センサである半導体圧力センサにおける2つのゲージ抵抗素子3a,3bそれぞれを1本のカーボンナノチューブにより構成している。製造にあたっては、撓み部たるダイヤフラム1bを有するマイクロ構造体1の一表面側の絶縁膜2上に触媒金属材料からなる触媒金属薄膜を形成し、触媒金属薄膜をパターニングすることによってそれぞれ触媒金属薄膜の一部からなる複数の尖突状の基端電極部5を形成する。その後、マイクロ構造体1の上記一表面側に複数の導電配線4を形成する。次に、カーボンナノチューブの原料ガスの雰囲気中にて所定温度に加熱されたマイクロ構造1における複数の導電配線4のうち対となる導電配線4,4間に電圧を印加することにより基端電極部5の先端から1本のカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板をマイクロマシンニング加工することによりフレーム及び該フレームに支持された薄肉の撓み部が形成された構造体であって検出対象とする物理量が当該構造体に加わると前記撓み部の力学的作用中心に応力を生じて前記撓み部が湾曲変形するようにしたマイクロ構造体と、前記マイクロ構造体の一表面側において絶縁膜を介して前記撓み部に重なるように配置されたゲージ抵抗素子と、前記マイクロ構造体の前記一表面側においてパターン形成され前記ゲージ抵抗素子の両端それぞれに電気的に接続された一対の導電配線と、前記ゲージ抵抗素子の両端位置にそれぞれ配置され前記ゲージ抵抗素子を前記各導電配線にそれぞれ接続する一対の基端電極部とを備え、前記一対の基端電極部は、前記一表面に平行な面内で互いの先端が対向する尖突状に形成され、且つ、少なくとも一方がカーボンナノチューブを成長させるための触媒金属材料により構成され、前記ゲージ抵抗素子は、前記一対の基端電極部の先端間に成長した1本のカーボンナノチューブで構成され、前記一対の基端電極部間における前記撓み部の変形形状と同じように変形することを特徴とする半導体物理量センサ。
IPC (4)：
G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84
FI (5)：
G01L9/00 303F ,  B81B3/00 ,  G01P15/12 Z ,  H01L29/84 B ,  H01L29/84 A
F-Term (35)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD19 ,  2F055EE13 ,  2F055FF11 ,  2F055GG01 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA09 ,  4M112CA14 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA29 ,  4M112CA34 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA06 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA01 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA01 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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