Pat
J-GLOBAL ID:200903004070576423
アニオン挿入ハイドロタルサイトの単純な製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石田 敬 (外4名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998549200
Publication number (International publication number):2001524923
Application date: Jan. 27, 1998
Publication date: Dec. 04, 2001
Summary:
【要約】本発明は、合成アニオン挿入ハイドロタルサイト物質を合成する一段階の方法である。本発明の方法は、挿入するアニオンの無機酸が存在しIA族金属源が存在しない状態で、アルミニウム源とマグネシウム源を接触させることを含む。結果として得られるスラリーを乾燥して、最終的な製品をもたらすことができる。
Claim (excerpt):
少なくとも1種の挿入されたアニオンを含む合成ハイドロタルサイト状物質を製造する方法であって、 (a)少なくとも約40°Cの温度のIA族金属源が存在しない中で、アルミニウム源をマグネシウム源及び少なくとも1つの前記アニオン源に接触させてスラリー作成し、少なくとも1つの前記アニオン源は無機酸であり、 (b)前記スラリーを乾燥する、各工程を含む方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
水中の遊離塩素の分解剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-356543
Applicant:協和化学工業株式会社
-
ヨウ素ガス吸着剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-145410
Applicant:東亞合成株式会社
-
ハイドロタルク石及びハイドロタルク石様化合物の二粉末合成
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平8-507274
Applicant:アルミナムカンパニーオブアメリカ
Return to Previous Page