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J-GLOBAL ID:200903004182312038

化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996335603
Publication number (International publication number):1998171122
Application date: Dec. 16, 1996
Publication date: Jun. 26, 1998
Summary:
【要約】【課題】 透明性、ドライエッチング耐性、基板密着性を維持し、解像度および現像液に対する溶解性に優れた化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも酸の作用により酸分解性基が分解しアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂と、露光により酸を発生する光酸発生剤を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物において、前記樹脂構造中の酸の作用により分解する酸分解性基が下記一般式(1)で表されることを特徴とする。【化1】(上式において、R1 は環式炭化水素基を有する炭素数6〜10の2価の炭化水素基、R2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基あるいはアシル基を表す。)
Claim (excerpt):
少なくとも酸の作用により酸分解性基が分解しアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂と、露光により酸を発生する光酸発生剤を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物において、前記樹脂構造中の酸の作用により分解する酸分解性基が下記一般式(1)で表されることを特徴とする化学増幅型フォトレジスト組成物。【化1】(上式において、R1 は環式炭化水素基を有する炭素数6〜10の2価の炭化水素基、R2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、あるいはアシル基を表す。)
IPC (3):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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