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J-GLOBAL ID：200903004203545020
半導体レーザ素子および光学式情報再生装置
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000205787
Publication number (International publication number)：2001085796
Application date： Jul. 06, 2000
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 リップルを抑制したレーザを歩留まりよく生成する。【解決手段】 GaN層と、Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>N(0.05≦x1≦0.2)下部クラッド層と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(0<y1<1)下部ガイド層(膜厚d1[μm])と、 Al<SB>a1</SB>In<SB>b1</SB>Ga<SB>1-a1-b1</SB>N<SB>1-e1-f1</SB>P<SB>e1</SB>As<SB>f1</SB>(0≦a1、0≦b1、a1+b1≦1、0≦e1、0≦f1、e1+f1<0.5)井戸層とAl<SB></SB><SB></SB><SB></SB><SB>a2</SB>In<SB>b2</SB>Ga<SB>1-a2-b2</SB>N<SB>1-e2-f2</SB>P<SB>e2</SB>As<SB>f2</SB>(0≦a2、0≦b2、a2+b2≦1、0≦e2、0≦f2、e2+f2<0.5)障壁層との交互多層構造からなる活性層(膜厚Wa[μm])と、In<SB>y2</SB>Ga<SB>1-y2</SB>N(0<y2<1)上部ガイド層(膜厚d2[μm])と、Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>N(0.05≦x2≦0.2)上部クラッド層と、をこの順に備えた半導体レーザ素子は、積層面に垂直方向のファーフィールドパターンにおけるリップルが抑制されるように、下部ガイド層および上部ガイド層の膜厚と組成を設定する。
Claim (excerpt)：
GaN層と、Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>N(0.05≦x1≦0.2)下部クラッド層と、In<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>N(0<y1<1)下部ガイド層(膜厚d1[μm])と、Al<SB>a1</SB>In<SB>b1</SB>Ga<SB>1-a1-b1</SB>N<SB>1-e1-f1</SB>P<SB>e1</SB>As<SB>f1</SB>(0≦a1、0≦b1、a1+b1≦1、0≦e1、0≦f1、e1+f1<0.5)井戸層とAl<SB>a2</SB>In<SB>b2</SB>Ga<SB>1-a2-b2</SB>N<SB>1-e2-f2</SB>P<SB>e2</SB>As<SB>f2</SB>(0≦a2、0≦b2、a2+b2≦1、0≦e2、0≦f2、e2+f2<0.5)障壁層との交互多層構造からなる活性層(膜厚Wa[μm])と、In<SB>y2</SB>Ga<SB>1-y2</SB>N(0<y2<1)上部ガイド層(膜厚d2[μm])と、Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>N(0.05≦x2≦0.2)上部クラッド層と、をこの順に備えた半導体レーザ素子であって、積層面に垂直方向のファーフィールドパターンにおけるリップルが抑制されるように、該下部ガイド層および該上部ガイド層の膜厚と組成を設定してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S 5/343
, G11B 7/125 A
Cited by examiner (2)
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半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-206937
Applicant：株式会社東芝
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窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-149183
Applicant：日亜化学工業株式会社
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