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J-GLOBAL ID：200903063827731274

窒化物半導体素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996149183
Publication number (International publication number)：1998041581
Application date： Jun. 11, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【目的】 シンプルな構造で窒化物半導体よりなるレーザ素子を実現し、閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 基板上部に、AlとGaとを含むn型窒化物半導体層よりなるn型コンタクト層と、Inを含む窒化物半導体よりなる多重量子井戸構造の活性層と、Alを含むp型窒化物半導体よりなる第1のp型層と、p型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを順に有することにより、n型コンタクト層が光閉じ込め層として作用するため、他のクラッド層を省略することができる。

Claim (excerpt)：

基板上部に、AlとGaとを含むn型窒化物半導体層よりなるn型コンタクト層と、Inを含む窒化物半導体よりなる多重量子井戸構造の活性層と、Alを含むp型窒化物半導体よりなる第1のp型層と、p型窒化物半導体よりなるp型コンタクト層とを順に有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-061490   Applicant：富士通株式会社