半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野口繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994104438
Publication number (International publication number)：1995074129
Application date： Apr. 19, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】シリサイド膜形成後の高温処理時におけるシリサイド膜の凝縮化を防ぐ。【構成】多結晶シリコン電極26、サイドウォール28を形成した後、4×10-8Torrの真空度まで排気したチャンバに、60sccmでN2とArの混合ガスを導入してチャンバ内の圧力を2.0mTorrとする。この混合雰囲気ガス中のArに対するN2の比率を10%として、純度99.998%の12インチのチタンターゲットに直流電力6kWを印加してスパッタリングを行ない、窒素を含んだチタン膜を形成する。Xeアークランプを用いて750°Cで30秒間の急速熱処理を施し、シリコン基板20上及び多結晶シリコン電極上に選択的にシリサイド膜32を形成する。シリサイド膜32は均一にシリサイド化される。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板の露出部とその基板上に絶縁膜を介して形成されパターン化された多結晶シリコン膜の少なくとも一方には金属シリサイド膜が形成され、その金属シリサイド膜は連続した薄膜となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-231715
特開平2-096374
特開平2-003917

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