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J-GLOBAL ID：200903004274772949

ろう付け方法

Inventor：
西脇 進

About 西脇 進


Applicant, Patent owner：
関西日本電気株式会社

About 関西日本電気株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000187593
Publication number (International publication number)：2001062561
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 Sn-Pb共晶はんだの代替Pbフリーろう材のリフロー時の加熱で溶融しない比較的高融点のPbフリーろう材によるろう付け方法を提供する。【解決手段】 ろう付けすべき二部材のうちの一部材である気密端子Aのリード3,3に、Ag層4とSn層5とを積層して形成し、Sn層5に他のろう付けすべき部材である水晶振動片6の電極61,62を接触させて加熱しSn層5を液相化することにより、この液相化されたSn層5内にAg層4のAgをに溶け込ませて合金化させたろう材7によって、前記気密端子Aのリード3,3に水晶振動片6を電気的に接続するとともに機械的に固着する。
Claim (excerpt)：
ろう付けすべき二部材のうちの少なくとも一方に合金化してろう材となる異種の金属層を積層形成し、これら二部材を接触させて加熱することにより、少なくとも一つの金属層を液相とし、他方の金属層を固相の状態を含めて前記液相の金属層に溶け込ませ、任意の組成になるように合金化したろう材により二部材をろう付けすることを特徴とするろう付け方法。
IPC (8)：
B23K 1/00 330 ,  B23K 1/00 310 ,  B23K 1/20 ,  B23K 35/26 310 ,  B23K 35/26 ,  C22C 12/00 ,  C22C 13/02 ,  B23K101:38
FI (7)：
B23K 1/00 330 D ,  B23K 1/00 310 B ,  B23K 1/20 F ,  B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/26 310 C ,  C22C 12/00 ,  C22C 13/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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