Pat
J-GLOBAL ID：200903004284664982

テラヘルツ帯光学素子用の薄膜形成方法

Inventor：
寳迫 巌

About 寳迫 巌


Applicant, Patent owner：
独立行政法人通信総合研究所

About 独立行政法人通信総合研究所


Agent (3)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002275211
Publication number (International publication number)：2004109827
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】半導体検出器の性能を劣化させることなく、屈折率の整合を取ることができ、また製造が容易であるテラヘルツ帯光学素子用の薄膜形成方法を提案する。【解決手段】100GHzから10THzまでの光の光学素子をプラズマCVD装置に入力し、CVD用の原料ガスの切り換えを順次行なって、屈折率の大きい屈折率をもつ膜と、それよりも小さい屈折率をもつ膜とを含む複数の積層膜をその表面に順次形成して光波干渉膜とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
100GHzから10THzまでの光の光学素子をプラズマCVD装置に入力し、CVD用の原料ガスの切り換えを順次行なって、第1の屈折率をもつ膜と、それよりも小さい第2の屈折率をもつ膜とを含む複数の積層膜をその表面に順次形成して光波干渉膜とすることを特徴とするテラヘルツ帯光学素子用の薄膜形成方法。
IPC (3)：
G02B1/11 ,  C23C16/42 ,  G02B5/26
FI (3)：
G02B1/10 A ,  C23C16/42 ,  G02B5/26
F-Term (15)：
2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA11 ,  2H048FA24 ,  2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009CC14 ,  2K009DD03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030DA08 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • プラズマ処理装置および光学部品の製造法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-343087   Applicant：大見忠弘, キヤノン株式会社
  • 特開平3-091701
  • 光学素子
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-508809   Applicant：テヒニシェ・ウニベルジテート・ブラウンシュバイク・カロロ-ビルヘルミナ
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM