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J-GLOBAL ID：200903079155909642

プラズマ処理装置および光学部品の製造法

Inventor： 丁 剛洙 ,  田中 信義 ,  平山 昌樹 ,  大見 忠弘
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  キヤノン株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343087
Publication number (International publication number)：1999172447
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 面内均一に優れ、ピンホールや局所的に欠陥の少ない被覆性に優れた被覆を形成し得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 減圧可能な容器と、プラズマを励起する為のガスを該容器内に供給する為のガス供給手段と、容器内を排気する為の排気手段と、容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処理体に表面処理を施すプラズマ処理装置である、マイクロ波供給手段は、複数のマイクロ波放射体を有し、その被処理体に対向する面が被処理体の被処理面に対応して所定の方向に向いている。

Claim (excerpt)：

減圧可能な容器と、プラズマを励起する為のガスを該容器内に供給する為のガス供給手段と、前記容器内を排気する為の排気手段と、前記容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処理体に表面処理を施すプラズマ処理装置において、前記マイクロ波供給手段は、複数のマイクロ波放射体を有し、その前記被処理体に対向する面が該被処理体の被処理面に対応して所定の方向に向いていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  G02B 1/10 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C 16/50 ,  H05H 1/46 B ,  G02B 1/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336474   Applicant：松下電器産業株式会社
• プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-126742   Applicant：松下電器産業株式会社
• 成膜又はエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-193558   Applicant：住友電気工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-248767   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平1-159379
  
• 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び 該装置を備えたプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-319223   Applicant：キヤノン株式会社