電界効果型半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998015216
Publication number (International publication number)：1999214406
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】この発明は、金(Au)電極、、白金(Pt)電極とパッシベーション膜との密着性の問題を解決し、半導体装置の信頼性向上を図ることを目的とする。【解決手段】この発明は、少なくともAuまたはPtを含む高融点金属をショットキー電極11としてSiC半導体層3上に設けた電界効果型半導体装置において、電極11は、半導体側とは逆の最表面に酸化性が比較的大きい金属膜10が設けられた多層積層膜で構成される。

Claim (excerpt)：

少なくともAuまたはPtを含む高融点金属をショットキー電極としてSiC半導体層上に設けた電界効果型半導体装置において、前記電極は、半導体側とは逆の最表面に酸化性が比較的大きい金属膜が設けられた多層積層膜であることを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/027 , H01L 29/872

FI (3)：

H01L 29/80 M , H01L 21/30 573 , H01L 29/48 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-065870
高電力、高周波金属-半導体電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-153621 Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-049004 Applicant：株式会社日立製作所

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