Pat

J-GLOBAL ID：200903004332055292

バイオセンサ

Inventor： 前田 浩
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001101309
Publication number (International publication number)：2002296229
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】しきい値バラツキによるセンサ感度バラツキを調整可能な半導体電界効果型バイオセンサを提供する。【解決手段】基板上に形成されたTFTを用いた半導体電界効果型のバイオセンサにおいて、前記TFTはチャネル領域の上部にゲート絶縁膜18を介してイオン感応領域19を有し、且つ、前記チャネル領域の下層に絶縁膜13を介してバックゲート12を有する構成となっている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたTFTを用いた半導体電界効果型のバイオセンサにおいて、前記TFTはチャネル領域の上部にゲート絶縁膜を介してイオン感応領域を有し、且つ、前記チャネル領域の下層に絶縁膜を介してバックゲートを有することを特徴とするバイオセンサ。

FI (2)：

G01N 27/30 301 K ,  G01N 27/30 301 U

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体イオンセンサ及びその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227701   Applicant：富士通株式会社
• イオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-172839   Applicant：株式会社堀場製作所

Cited by examiner (2)

• 半導体イオンセンサ及びその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227701   Applicant：富士通株式会社
• イオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-172839   Applicant：株式会社堀場製作所