窒化物半導体発光ダイオード

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995040592
Publication number (International publication number)：1996236810
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】電気的特性に優れ発光輝度が高い高信頼性のLEDを得る。【構成】基板材料との格子不整合性が小さくするために、NとN以外の第V族元素を含む III-V族窒化物半導体からなる緩衝層を採用する。また、この緩衝層とヘテロ接合をなす積層構造を有するLEDとする。また、緩衝層の一部領域に絶縁性領域等を設ける。【効果】有効発光領域の電流密度が増し発光強度が向上する。素子動作の長期安定化が達成される。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体基板上に、窒素と窒素以外の第V族元素を含む III-V族化合物半導体成長層からなる緩衝層を介して、窒素を含むIII-V族化物半導体を含む発光構造を具備し、基板の一部と基板の反対側の成長層上の一部に電極を設けたことを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-197657 Applicant：コニカ株式会社
特開昭63-081884
特開平2-288388

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Cited by examiner (10)

窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-197657 Applicant：コニカ株式会社
特開昭63-081884
特開昭63-081884

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