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J-GLOBAL ID：200903047593447059
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253740
Publication number (International publication number)：1996125221
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 電極形成及び半導体レーザの共振器形成を簡単に行うことができ、しかも高品質な窒化物半導体薄膜により発光領域が構成された、発光ダイオードおよび半導体レーザのいずれにも適用できる素子構造を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 発光領域を含む半導体積層構造110aを形成するための基板として、導電性基板であるGaP基板100を用い、しかも、ウルツ鉱型結晶と同様の六回対称性を有するGaP基板の(111)面上に、上記半導体積層構造110aを構成する窒化物半導体層102ないし106を形成した。
Claim (excerpt)：
GaP結晶基板上に形成され、発光領域となる半導体薄膜を含む半導体積層構造を備え、該半導体薄膜は、金属材料の窒化物からなり、該窒化物を構成する金属材料は、Al、GaおよびInの内のいずれか1つの金属元素、もしくはAl、GaおよびInの内の2つ以上の金属元素の混合物からなる半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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