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J-GLOBAL ID：200903004399979901

研磨方法

Inventor： 久保 亨
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 渡辺 勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999036020
Publication number (International publication number)：2000235965
Application date： Feb. 15, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】埋め込み配線やプラグ等を形成する際のCMP工程において、エロージョンやディッシングの発生を防止すること。【解決手段】シリコン基板1上に設けられたシリコン酸化膜3に凹部を形成し、バリアメタル膜4、銅めっき膜5をこの順で成膜する。次いでCMP研磨により平坦化を行う。一定時間研磨を行いバリアメタル膜4の露出した時点でフッ酸含有液を供給する。フッ酸含有液としては、バッファードフッ酸等を用いる。

Claim (excerpt)：

ウエハ表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の所定箇所に凹部を設け、全面にバリアメタル膜、および金属膜をこの順で形成した後、該ウエハ表面に研磨パッドを荷重をかけて接触させ、ウエハと研磨パッドの少なくとも一方を回転させてウエハ表面を平坦化する研磨方法において、前記ウエハ表面に対し、研磨開始から所定時間経過前までの間、第一の研磨液を供給し、所定時間経過後、フッ酸を含有する第二の研磨液を供給することを特徴とする研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/88 K

F-Term (21)：

5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-109332
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-326932   Applicant：日本電気株式会社