半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326932
Publication number (International publication number)：1998172969
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜中にプラグを形成し、このプラグに接続する配線を形成する場合、プラグと配線との接続部の抵抗が増加し、しかも工程が複雑である。【解決手段】半導体基板1上の絶縁膜2にコンタクトホール3を形成したのち、全面にAl膜4を後工程で形成する配線の厚さ以上に堆積する。次でこのAl膜4をCMP法で研磨し所定の厚さにしたのちパターニングし、Al配線4Aを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁膜にスルーホールを形成する工程と、全面に導電性膜を後工程で形成する配線の厚さ以上に堆積し前記スルーホールを埋める工程と、前記導電性膜をCMP法により研磨し所定の厚さにする工程と、研磨された前記導電性膜をパターニングし配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-068365 Applicant：株式会社東芝
特開平2-098935
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-147677 Applicant：株式会社東芝

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