ダイヤモンドの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松純 , 小松秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004086792
Publication number (International publication number)：2005272197
Application date： Mar. 24, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】ダイヤモンドエピタキシャル膜と基板ダイヤモンドの双方を破損することなく分離することができるダイヤモンドの製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層を成長させる工程と、その上に気相合成法により絶縁性ダイヤモンド層を成長させる工程と、前記半導体ダイヤモンド層の電気化学的エッチングにより、絶縁性ダイヤモンド層と該基板を分離する工程を含むダイヤモンドの製造方法。また、ダイヤモンド基板上に気相合成法により絶縁性ダイヤモンドを成長させる工程と、絶縁性ダイヤモンドの表面から該基板の直上に、原子濃度の最大値が5×1018〜2×1021個/cm3の範囲の注入層を形成するように、イオン注入法によって該原子のイオンを注入する工程と、その注入層の放電加工又は電気化学的エッチングにより該基板と絶縁性ダイヤモンド層を分離する工程を含むダイヤモンドの製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層を成長させる工程と、その上に気相合成法により絶縁性ダイヤモンド層を成長させる工程と、前記半導体ダイヤモンド層を電気化学的手法によりエッチングすることにより、絶縁性ダイヤモンド層とダイヤモンド基板を分離する工程を含むことを特徴とするダイヤモンドの製造方法。

IPC (5)：

C30B29/04 , C01B31/06 , C23C14/48 , C23C16/27 , H01L21/3063

FI (5)：

C30B29/04 V , C01B31/06 A , C23C14/48 Z , C23C16/27 , H01L21/306 L

F-Term (57)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF04 , 4G077FD04 , 4G077FG08 , 4G077FJ03 , 4G077HA01 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TC13 , 4G077TC14 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 4G146AA04 , 4G146AB07 , 4G146AC11A , 4G146AC11B , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146CB29 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA15 , 4K029BA32 , 4K029BA34 , 4K029BA35 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029FA07 , 4K029GA00 , 4K029GA05 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030LA02 , 5F043AA18 , 5F043BB12 , 5F043DD02 , 5F043DD14 , 5F043DD17 , 5F043DD18 , 5F043FF02 , 5F043GG01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭63-224225号公報
特開平2-233591号公報
特開平4-132687号公報

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