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J-GLOBAL ID:200903004565336976

真空遮断器用接点材料,その製造方法および真空遮断器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 波多野 久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997343124
Publication number (International publication number):1999176298
Application date: Dec. 12, 1997
Publication date: Jul. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】不純物含有量が少なく、しかもCu相に固溶されているCrの固溶濃度を低減させることにより硬度を低減して成形性を向上させ、容易に量産することが可能な真空遮断器用接点材料,その製造方法および真空遮断器を提供する。【解決手段】Cuからなる高導電材料とCrからなる耐弧材料とから構成される真空遮断器用接点材料において、Cu相におけるCrの固溶濃度が200ppm以下であることを特徴とする。
Claim (excerpt):
高導電成分としてのCu相と耐弧成分としてのCrとから成り、Cu相におけるCrの固溶濃度が200ppm以下であることを特徴とする真空遮断器用接点材料。
IPC (4):
H01H 33/66 ,  C22C 1/04 ,  C22C 9/00 ,  H01H 1/02
FI (4):
H01H 33/66 B ,  C22C 1/04 P ,  C22C 9/00 ,  H01H 1/02 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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