表面処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995163905
Publication number (International publication number)：1997017596
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】ウェーハ25の表面を処理する表面処理装置において、荷電粒子による電気的損傷やエネルギー粒子による物理的損傷を与えることなく大きい面積をもつウェーハ25の表面を均一に処理する。【構成】解離種を発生する解離種発生室2から中性活性粒子のみを抽出する開口部が低く該開口部から延在する小さい中性活性粒子の抽出室3を設け、該中性活性粒子が放出される被表面処理試料の幅に対応する長さのスリット状開口部4から中性活性粒子のみ放出させウェーハ25を移動し処理する。

Claim (excerpt)：

解離種発生源ガスを導入しながら圧力を一定に減圧維持しガス解離手段により前記解離種発生源ガスを解離し解離種を発生させる解離種発生室と、この解離種発生室の空間部の一側面より低く横長の開口部を有するとともに該開口部から外方向に伸び前記解離種の荷電粒子のエネルギーが消滅する程度の経路長さの小室を形成しかつ該小室の該開口部と反対側に配置されるスリット状開口部を有する抽出室と、この抽出室より低い圧力に減圧されその差圧で前記スリット状開口部から前記解離種の中性活性粒子を放出させるとともに被表面処理試料を収納する第1の試料室と、前記スリット状開口部の長手方向と直交する方向に前記被表面処理試料と前記抽出室とを相対的に移動させる第1の移動機構とを備えることを特徴とする表面処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 D , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平2-001121
中性粒子線加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-179596 Applicant：株式会社日立製作所
ラインプラズマ気相堆積装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330890 Applicant：シャープ株式会社, リサーチトライアングルインスティチュート

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