半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994083346
Publication number (International publication number)：1995297451
Application date： Apr. 21, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】金線等でボンディングして半導体ペレットと電極とを結線する金線等でボンディングして半導体ペレットと電極とを結線するのではなく、電極層が薄膜層を介して直接半導体ペレット上に形成された半導体装置を提供する。【構成】 p-n接合(6)の形成された半導体ペレット(2)を備えた半導体装置において、半導体ペレット(2)のp型面(5)とn型面(3)の各々を覆う導電性の薄膜層(7、8)と、この薄膜層(7、8)の上に形成された電極層(9、10)と、半導体ペレット(2)の側面にこの側面を囲むように形成された光透過性のガラス層(11)とを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

p-n接合の形成された半導体ペレットを備えた半導体装置において、前記半導体ペレットのp型面とn型面の各々を覆う導電性の薄膜層と、この薄膜層の上に形成された電極層と、前記半導体ペレットの側面にこの側面を囲むように形成された光透過性のガラス層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/60 321 , H01L 31/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

チップ部品型の発光ダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-112774 Applicant：シャープ株式会社
光プリンター用光源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-152348 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社

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