半導体素子の試験装置および試験方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005164016
Publication number (International publication number)：2006337247
Application date： Jun. 03, 2005
Publication date： Dec. 14, 2006
Summary：

【課題】パワー半導体チップの試験を行う際、チップ電極と試験装置の接触子との接触点を増加させて接触抵抗を低下させるとともに、連続して行うため、チップ裏面を損傷させるような溶融痕を除去するなどのメンテナンスを不要とする。【解決手段】半導体素子1の電極を形成する材料のバルクの弾性係数より低い弾性係数を有し、ほぼ平坦な面を有する外形に形成して導電性繊維の集合体61を接触子とすることでチップ電極のキズや接触子の溶融痕の発生を防ぎ、連続試験を可能とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子の電極と接触する接触子であって、ほぼ平坦な面を有する外形に形成され、空隙により弾性係数を前記電極を形成する材料のバルクの弾性係数より低い弾性係数とした接触子を備えることを特徴とする半導体素子の試験装置。

IPC (2)：

G01R 1/073 , G01R 31/26

FI (2)：

G01R1/073 F , G01R31/26 J

F-Term (13)：

2G003AA00 , 2G003AA10 , 2G003AG04 , 2G003AG12 , 2G003AH07 , 2G011AA01 , 2G011AB01 , 2G011AB04 , 2G011AB07 , 2G011AB08 , 2G011AC14 , 2G011AE03 , 2G011AF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体素子の特性測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-005349 Applicant：富士電機株式会社
光ファイバコネクタおよび複合材料構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-334643 Applicant：財団法人次世代金属・複合材料研究開発協会

Cited by examiner (6)

半導体素子の特性測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-005349 Applicant：富士電機株式会社
加圧接触型半導体装置、及びこれを用いた変換器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-238901 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭60-173850

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