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J-GLOBAL ID：200903004669974885

窒化化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor： 山口 敦史 ,  砂川 晴夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996347839
Publication number (International publication number)：1998190059
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 プロセスが容易で特性の優れた窒化化合物半導体素子、及び該素子の製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の層、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の層を有する窒化化合物半導体素子であって、(0001)面以外の面方位のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半導体基板を有し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の窒化ガリウム系半導体、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の窒化ガリウム系半導体からなることを特徴とする窒化化合物半導体素子。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の層、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の層を有する窒化化合物半導体素子であって、(0001)面以外の面方位のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半導体基板を有し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる1種の窒化ガリウム系半導体、あるいはこれらの中から選ばれる2種以上の混晶の窒化ガリウム系半導体からなることを特徴とする窒化化合物半導体素子。

IPC (6)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/12 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (6)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 Z ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213676   Applicant：ローム株式会社