半導体発光素子の製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213676
Publication number (International publication number)：1996116090
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【課題】格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 (a)半導体単結晶基板1上にチッ化ガウリウム系半導体層3を成膜する工程、(b)前記半導体単結晶基板を除去する工程、および(c)該半導体結晶基板を除去して残余した前記チッ化ガリウム系化合物半導体層を新たな基板として、少なくともn型層およびp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層をさらに成長する工程を有する。

Claim (excerpt)：

(a)半導体単結晶基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層を成膜する工程、(b)前記半導体単結晶基板を除去する工程、および(c)該半導体結晶基板を除去して残余した前記チッ化ガリウム系化合物半導体層を新たな基板として、少なくともn型層およびp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層をさらに成長する工程を有する半導体発光素子の製法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335255 Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社
量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314770 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013393 Applicant：シャープ株式会社

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