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J-GLOBAL ID：200903004679640195

バッチ式コールドウォール処理装置及びそのクリーニング方法

Inventor：
李 秀樹

About 李 秀樹


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993254684
Publication number (International publication number)：1995086171
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 処理装置を解体することなく、そのままの状態でしかもプラズマレスで構成部材を損ねるこなく処理室内を完全にクリーニングすることができバッチ式コールドウォール処理装置のクリーニング方法を提供する。【構成】 本バッチ式コールドウォール処理装置のクリーニング方法は、壁面が50°C以下に保持された処理室に設けられたガス供給部に接続されたクリーニングガス供給系14からClF3ガスをガス供給部であるガス供給口34Aを介して処理室2内に供給し、このClF3ガスにより処理室2の内部に付着した付着物をクリーニングするようにした。
Claim (excerpt)：
複数枚の被処理体を収納する処理室と、この処理室内に配設され且つ複数枚の被処理体を1枚ずつ個別に支持する複数の支持体と、これらの支持体で支持された被処理体に向けてプロセスガスをそれぞれ供給する複数のプロセスガス供給部と、このプロセスガス供給部から供給されたプロセスガスを活性化するガス活性化手段とを備え、上記処理室の壁面を50°C以下に保持して上記被処理体の処理を行なうバッチ式コールドウォール処理装置において、上記処理室にガス供給部及びガス排気部をそれぞれ設け、上記ガス供給部にクリーニングガス供給系を接続し、このクリーニングガス供給系からガス供給部を介して処理室内にClF3ガスを供給し、このClF3ガスにより処理室の内部に付着した付着物をクリーニングすることを特徴とするバッチ式コールドウォール処理装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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