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J-GLOBAL ID：200903004694489908

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998002546
Publication number (International publication number)：1998173231
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【目的】 新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、窒化ガリウム系化合物半導体層を面内均一に発光させ、発光素子の発光出力を向上させると共に、発光素子のVfを低下させ、発光効率を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて小さくなるように調整された層を有しており、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいp<SP>+</SP>型GaN層と、p<SP>+</SP>型GaN層よりもキャリア濃度の小さいp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z<1)層とを有し、前記p+GaN層が正電極と接するコンタクト層とされている。

Claim (excerpt)：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて小さくなるように調整された層を有しており、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいp<SP>+</SP>型GaN層と、p<SP>+</SP>型GaN層よりもキャリア濃度の小さいp型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z<1)層とを有し、前記p+GaN層が正電極と接するコンタクト層とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社