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J-GLOBAL ID：200903004702336890

カーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 畠 賢治 ,  山田 健郎 ,  平岡 樹 ,  湯村 守雄 ,  飯島 澄男
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006253390
Publication number (International publication number)：2008074647
Application date： Sep. 19, 2006
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】比較的安価な材料よりなる基板を用い、シリコンウェハを用いた場合と同等な優れた特性を有するカーボンナノチューブを大量且つきわめて安価に製造できる技術を提供する。【解決手段】Ni20原子%以上を含有するNi基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長(CVD)させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。Ni20原子%以上を含有するNi基合金として、Ni-Fe、Ni-Cr及びNi-Fe-Crよりなる群から選ばれる1種の合金が好ましく用いられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ni20原子%以上を含有するNi基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長(CVD)させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 ,  C22C 19/03 ,  C22C 19/05

FI (3)：

C01B31/02 101F ,  C22C19/03 Z ,  C22C19/05 Z

F-Term (19)：

4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AC16B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC41 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 単層カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2005014239   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

• 垂直配向カーボンナノチューブの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-221708   Applicant：日本真空技術株式会社
• 単層カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2005014239   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所